Si 반도체에 As를 도핑하면 전기전도도가 증가

Si 반도체에 As를 도핑하면 전기전도도가 증가

 

 

Si 반도체에 As를 도핑하면 전기전도도가 증가되는데,

이를 띠 이론(band theory)으로 설명하시오.

 

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▶ 참고: 고체의 띠 이론

[ https://ywpop.tistory.com/3467 ]

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As는 Si보다 원자가 전자가 1개 더 많기 때문에,

As를 도핑하면 n-형 반도체가 된다.

( 참고 https://ywpop.tistory.com/2939 )

 

 

 

1개 더 많은 As의 원자가 전자는

Si의 전도띠(conduction band)에 배치되므로,

그 결과 Si의 원자가띠(valence band)와 전도띠는

겹쳐지게 된다.

( 띠간격, band gap이 사라지는 효과 )

 

 

 

이 때문에

n-형 반도체의 전기전도도는 증가하게 된다.

 

 

 

 

[키워드] n-형 반도체 기준문서