Langmuir 등온 흡착식. Langmuir isotherm

Langmuir 등온 흡착식. Langmuir isotherm

 

 

Langmuir 등온 흡착식을 유도하기 위한 가정으로 옳지 않은 것은?

① 한정된 표면만이 흡착에 이용된다.

② 표면에 흡착된 용질물질은 그 두께가 분자 한 개 정도의 두께이다.

③ 흡착은 비가역적이다.

④ 평형조건이 이루어졌다.

 

 

 

Langmuir 흡착 등온식은

일정 온도에서 흡착질과 흡착제가

평형조건이 이루어졌다고 가정하여 유도한 식으로

단분자층 흡착이라고 하며, 균일한 표면을 가정한다.

 

 

 

Langmuir 흡착 등온식은

고체 표면에 흡착점이 존재하여

그 흡착점에 기체가 흡착하는 경우의 흡착량에 관한 식이다.

 

고체 표면에는 기체 분자를 잡아서 흡착시키기에 충분한

분자적 인력을 갖는 점인 흡착점이 일정하게 분포하고 있는데,

그 흡착점에는 오로지 1개 분자만 흡착이 가능하며

흡착된 분자는 고정되어 있다는 가정을 필요로 한다.

 

흡착점에 닿은 기체 분자에서 일정한 비율의 분자만이 그 표면에 붙잡히고

그중에서도 일정한 수의 분자가 끊임없이 다시 기체상으로 되돌아가는데,

이때 그 표면에 흡착된 분자가 기껏해야 1분자층을 넘지 못한다는 가정이다.

 

이 점에서 화학적 흡착에서만

Langmuir 흡착 등온식이 대부분 성립된다는 점을 알 수 있다.

 

또한 모든 흡착점의 에너지 상태는 동일하고,

흡착된 분자끼리는 상호작용이 없다는 점 또한 가정이다.

 

 

 

> 흡착제 표면에는 흡착 site가 균일하게 분포되어있다.

> 흡착은 비어있는 흡착점과 기체 분자간의 충돌에 의해서 이루어진다.

> 흡착된 분자 간 상호작용 없다.

> 모든 흡착점의 흡착에너지는 균일하다.

> 새로운 물질의 흡착에너지는 coverage에 영향을 받지 않는다.

> 단분자 흡착층 형성.

> 탈착은 흡착된 기체량에 비례한다.

> 평형상태에서 흡착속도와 탈착속도는 같다.

> 흡착속도 = 탈착속도 ---> 흡착은 가역적이다.

 

 

 

답: ③ 흡착은 비가역적이다.

 

 

 

 

[ 관련 글 https://ywpop.tistory.com/6913 ] 물리흡착과 화학흡착

 

[ https://ywpop.blogspot.com/2023/07/langmuir-langmuir-isotherm.html ]

 

 

 

[키워드] Langmuir 흡착 등온식 기준, Langmuir 흡착 등온식 사전, Langmuir 등온 흡착식 기준, Langmuir 등온 흡착식 사전, 랭뮤어 흡착 등온식 기준, 랭뮤어 흡착 등온식 사전, 랭뮤어 등온 흡착식 기준, 랭뮤어 등온 흡착식 사전, Langmuir isotherm dic, 흡착 기준, 흡착 사전